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QT-9000 Series
大规模集成电路测试系统(VLSI) QT-9000
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数位模拟混合信号IC测试系统(Cable Mount) QT-8100
数位模拟混合信号IC测试系统(Direct Mount)QT-8200
大功率增强型混合信号IC测试系统 QT-8100HP
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分立器件测试系统 QT-5000
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分立器件测试系统 QT-4000
综合测试平台 TB-14
QT-3000 Series
雪崩测试仪QT-3101B
热阻测试仪 QT-3102
MOSFET RG/CG 测试系统 QT-3107

Test System

QT-3000 Series热阻测试仪 QT-3102

热阻测试仪 QT-3102

QT-3102-XX可测试三极管、场效应管、IGBT、二极管、可选SCR。
R26;可以内置到QT-4100的DC测试项内实现大功率内置热阻测试。
R26;通过scanbox可以实现Dual Die测试。

主要技术指标 

项目 范围 阶跃电流 精度
偏置电流IE/IDS 0.01 to 20A/50A 0.01A ±(1%+2mA)
测量电流IM 1 to 100mA 1 mA 001 to 39 mA
±(1% + 0.2 mA)
40 to 100 mA(±3%)
门限电压Gate-L 1.0 to 20.0V(±5V的固定值初始值) 0.1V ±0.5V
功耗时间PT 在偏置功率范围300 us to 200ms 1 us (晶体)
延时DT 10 to 999 us 1 us ±1 us (晶体)
上限/下限 0 to 9999 mV 1 mV /
0 to 999.9 mV 0.1mV /
VCB/VDS 1 to 100V / 200V 1 V ±(0.2% + 0.1V)
• 最大电流,最高电压视机型而定,最大电流分别有10A,20A,50A;最大电压分别有100V,150V,200V。
• 对于所有技术参数本公司有权随时修订,不作另行通知。




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